ترانزیستور TIS60G برند تگزاس اینسترومنت آمریکا مونتاژ مالزی.
Type Designator
TIS60G
Material of Transistor
Si
Polarity
NPN
Maximum Collector Power Dissipation (Pc)
0.3W
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|
40V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|
25V
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|
5V
Maximum Collector Current |Ic max|
0.4A
Max. Operating Junction Temperature (Tj)
175°C
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN
100
شما هم درباره این کالا دیدگاه ثبت کنید